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多層膜膜厚(GaAs/AlAs超晶格)

更新時(shí)間:2024-03-14

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廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

生產(chǎn)地址:

簡要描述:
GaAs/AIAs 超晶格多層膜膜厚標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)可用于與多個(gè)厚度尺寸相關(guān)的設(shè)備校準(zhǔn),包括表面分析設(shè)備,如俄歇電子光譜儀、X 射線光電能譜儀及二次離子質(zhì)譜儀的濺射速率校準(zhǔn);以及用于透射電鏡
品牌中國計(jì)量科學(xué)研究院供貨周期現(xiàn)貨
應(yīng)用領(lǐng)域綜合

GaAs/AIAs 超晶格多層膜膜厚標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)可用于與多個(gè)厚度尺寸相關(guān)的設(shè)備校準(zhǔn),包括表面分析設(shè)備,如俄歇電子光譜儀、X 射線光電能譜儀及二次離子質(zhì)譜儀的濺射速率校準(zhǔn);以及用于透射電鏡

樣品制備RM 的 10 萬倍到 30 萬倍的中倍放大倍率校準(zhǔn)。 

家采用分子束外延生長方法,在 GaAs(100)基底上生長每層膜厚名義量值為 10 nm 的 GaAs/AIAs 超晶格3周期,切割為 20 mm x20 mm 的正方形,經(jīng)定值測量后采用鋁箔包裝袋真空包裝。org.c

二、溯源性及定值方法

采用掠入射 X 射線反射技術(shù)為樣品定值,此設(shè)備為計(jì)量校準(zhǔn)裝置,角度溯源至多齒分度臺標(biāo)準(zhǔn)裝置,入射光波長溯源至單晶硅晶格參數(shù)。通過使用滿足計(jì)量學(xué)特性要求的測量方法和計(jì)量器具保證其量值溯源性。


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